2SB852KT146B 与 BCV 26 E6327 区别
| 型号 | 2SB852KT146B | BCV 26 E6327 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A32-2SB852KT146B-1 | A-BCV 26 E6327 | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 未分类 | 达林顿晶体管 | ||||||||||
| 描述 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 最大直流电集电极电流 | - | 0.5A | ||||||||||
| 宽度 | - | 1.3mm | ||||||||||
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | - | 4000 | ||||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||||
| 集电极—基极电压 VCBO | - | 40V | ||||||||||
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | - | 30V | ||||||||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | - | PG-SOT23-3 | ||||||||||
| 直流电流增益 hFE 最大值 | - | 4000 | ||||||||||
| 工作温度 | - | -65°C~150°C | ||||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||||
| 最大集电极截止电流 | - | 0.1uA | ||||||||||
| 系列 | - | BCV26 | ||||||||||
| 长度 | - | 2.9mm | ||||||||||
| 高度 | - | 1mm | ||||||||||
| 发射极 - 基极电压 VEBO | - | 10V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SB852KT146B | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 未分类 |
￥2.6367
|
3,000 | 当前型号 | |||||||||||||
|
FMMT734TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 达林顿晶体管 | 暂无价格 | 3,000 | 对比 | |||||||||||||
|
|
FMMT734TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 达林顿晶体管 |
￥2.639
|
67 | 对比 | |||||||||||||
|
MMBTA64-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 300mW -30V -500mA PNP |
暂无价格 | 6 | 对比 | ||||||||||||
|
|
MMBTA63-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 达林顿晶体管 | 暂无价格 | 3 | 对比 | |||||||||||||
|
BCV 26 E6327 | Infineon | 数据手册 | 达林顿晶体管 |
车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
